机译:SGO-NLDMOS中断态雪崩击穿引起的导通电阻降低
机译:两步MESA结构GaN P-N二极管,具有低导通电阻,高击穿电压和优异的雪崩功能
机译:横向双扩散MOSFET的新结构,以控制击穿电压和导通电阻
机译:较高击穿电压的NLDMOS结构优化及较低的电阻
机译:具有高击穿电压和低导通电阻的新型沟槽横向功率MOSFET
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:垂直GaN单极装置的击穿电压和特定导通电阻的分析模型
机译:射频结构中高压击穿和电弧定位的研究。