Ga_2O_3; rare earth; ion implantation; Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS); channeling; cathodoluminescence (CL); photoluminescence (PL); Perturbed Angular Correlation;
机译:从铁掺杂β-GA_2O_3散装晶体的红色发光起源
机译:在〜(55)Mn〜+离子注入的室温铁磁性和交换偏置的无意掺杂β-GA_2O_3单晶
机译:通过Hf掺杂对β-Ga_2O_3单晶进行简并掺杂
机译:镁掺杂β-Ga_2O_3晶体氮化制备微米厚度的六角形GaN薄膜
机译:n-和p-掺杂的电气传输性能:散装晶体与剥离层
机译:Na掺杂的急剧增加促进了受体带的移动从而在ZnO块状晶体中产生了约180 meV的浅空穴传导
机译:通过离子注入对Ga_2O_3块状晶体和NW进行掺杂
机译:离子注入选择性掺杂压电晶体。