vertical-cavity surface-emitting diode lasers; comprehensive VCSEL simulation; VCSEL modifications; 1.3-(mu)m radiation;
机译:救济口径对基于GaInNAs GaAs的VCSEL 1.3-
机译:通过载流子寿命测量,在生长1.3μmInGaAsN-GaAsP-GaAs QW激光器的MOCVD中增加单分子复合
机译:MOVPE生长的低阈值电流1.3- / splμ/ m GaInNAs VCSEL
机译:提高1.3-(mu)M氧化密闭增益/ GaAs QW Vcsels性能的方法
机译:多计算机网络性能建模中的敏感性分析:一种在保持复杂多计算机系统性能建模的准确性的同时提高仿真效率的方法
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:高性能三层1.3- / spl mu / m Inas-Gaas量子点激光器,具有极低的连续波室温阈值电流 ud
机译:Gaas键合层在提高应变层InGaas / alGaas量子阱二极管激光器OmVpE生长和性能中的作用