Memory architecture; Interleaved memories; Multiport memory; Probability;
机译:面积延迟能量敏感型SRAM存储单元和M×N并行读写存储阵列,用于量子点元胞自动机
机译:采用28 nm高k /金属栅平面体CMOS技术的高度对称10晶体管2读/写双端口静态随机存取存储器位单元设计
机译:利用串行访问和域壁存储器的非对称读/写来进行区域和节能型数字信号处理器设计
机译:基于块读写的多端口存储器设计方法
机译:基于硅上氧化锌的一次写入多次读取(WORM)存储器
机译:PEDOT PSS中的电阻性切换记忆现象:可切换二极管效应和一次写入多次读取记忆并存
机译:为相变存储器中的读取访问减少写入阻塞
机译:最终技术报告光学读/写存储系统设计