4H-SiC; MESFET; Multiple Trapping; Self heating effects;
机译:结合体和界面陷阱效应的4H-SiC MESFET的改进分析模型
机译:降低埋入栅4H-SiC MESFET的俘获效应并改善电性能
机译:基于物理的4H-SiC MESFET的俘获和自热效应模型
机译:结合衬底俘获,表面俘获和热效应的改进的4H-SiC MESFET I-V模型
机译:在Friedmann Universes中陷入困境和防陷阱
机译:改进的DRUS 4H-SiC MESFET具有高功率附加效率
机译:建模沟道-衬底界面陷阱对GaAs MESFET衬底激发的响应