机译:在A-IGZO TFT中的热载波应力下捕获孔引起的异常阈值电压移位
机译:随机掺杂引起的阈值电压分布分析:100 000样本的3D模拟研究
机译:NBT应力p沟道功率VDMOSFET中阈值电压漂移的可恢复和永久分量分析
机译:异常掺杂剂扩散引起的功率MOR阈值电压差的SIMS分析
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:全V阈值电压偏移分析
机译:辐射应力影响对P沟道功率VDMOS晶体管阈值电压影响的建模与PSPICE模拟
机译:50 nm外延通道mOsFET中的随机掺杂阈值电压波动:3D'原子'模拟研究