Radiation effects; Degradation; Europe; Microelectronics; Sensors; Integrated circuits; Registers;
机译:在不同剂量率和偏置条件下总电离剂量辐射引起的CMOS APS图像传感器性能下降
机译:固定光电二极管CMOS图像传感器中的辐射效应:由于总电离剂量导致像素性能下降
机译:CMOS图像传感器中总电离剂量与位移损伤剂量引起的暗电流随机电报信号
机译:带有列ADC的CMOS 8晶体管图像传感器的总电离剂量降低
机译:单事件瞬态和总电离剂量对低于10 nm节点CMOS的III-V MOSFET产生影响。
机译:具有列并行12位SAR ADC的低噪声CMOS图像传感器的快速多重采样方法
机译:固定光电二极管CMOS图像传感器中的辐射效应:由于总电离剂量导致像素性能下降