4H-SiC; MESFET; stepped-channel; electric field crowding;
机译:具有Γ栅极和凹入p缓冲层的4H-SiC MESFET的性能得到改善
机译:降低埋入栅4H-SiC MESFET的俘获效应并改善电性能
机译:3C-SiC,6H-SiC和4H-SiC MESFET性能比较
机译:阶梯通道提高了4H-SiC MESFET的性能
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:改进的DRUS 4H-SiC MESFET具有高功率附加效率
机译:改进了DRUS 4H-SIC MESFET,具有高功率的效率