CAD; VDMOS; differential equation; electric field; electron concentration; modeling;
机译:γ辐照功率VDMOS晶体管的电特性分析模型
机译:基于TCAD的浮岛结构SiC VDMOSFET研究。
机译:4H-SiC VDMOSFET高温TCAD仿真的迁移率和界面陷阱参数的校准
机译:IC CAD的VDMOS特性建模与仿真
机译:用于汽车应用的60V VDMOS设计和制造
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:辐射应力影响对P沟道功率VDMOS晶体管阈值电压影响的建模与PSPICE模拟