transistor; SIT; channel parameters;
机译:静态感应晶体管的组合沟道参数研究
机译:SiC埋入式栅极静电感应晶体管的短路能力:沟道宽度对短路性能的基本机理和影响
机译:4H-SiC埋入式栅极静电感应晶体管中重新填充的沟道区域的评估
机译:静电感应晶体管的信道参数研究
机译:用于功率应用的微波波段碳化硅静态感应晶体管的设计和演示。
机译:利用射频溅射制备的UV /臭氧处理改善了氧化镓/ P-EPI碳化硅静态静态晶体管的电气特性
机译:使用静电感应晶体管(SIT)和场效应晶体管(FET)为负高直流电压开关电路。
机译:mEsFET双极晶体管与静电感应晶体管C类放大器的比较