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【24h】

25.8Gbps direct modulation of BH AlGaInAs DFB lasers with p-InP substrate for low driving current

机译:具有p-InP基板的BH AlGaInAs DFB激光器25.8Gbps直接调制可实现低驱动电流

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摘要

1.3µm-band BH AlGaInAs DFB lasers with p-InP substrate are fabricated for 100GbE (25Gbps × 4 wavelengths). Very high mask margin of over 30% is achieved at 50oC under 25.8Gbps modulation with low operation current.
机译:带有p-InP基板的1.3μm波段BH AlGaInAs DFB激光器用于100GbE(25Gbps×4个波长)。在50oC和25.8Gbps调制下,以低工作电流在30oC时可获得很高的掩模余量,超过30%。

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