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机译:使用1.3; C; m AlGaInAs MQW分布式反射器激光器的未冷却,低驱动电流25.8 Gbit / s直接调制
机译:1.3μm非冷却10 Gb / s直接调制MQW AlGaInAs / InP激光二极管
机译:1.3 // spl mu / m AlGaInAs应变补偿MQW埋入异质结构激光器,用于非冷却10-gb / s操作
机译:1.3-μmAlGaInAs应变补偿MQW埋入异质结构激光器,用于非冷却10 gb / s的操作
机译:使用1.3μm半绝缘掩埋异质结构AlGaInAs-MQW分布式反射器(DR)激光器,低驱动电流高速直接调制高达40 Gb / s
机译:导波光学中的主题:单波长蚀刻耦合腔铟镓-砷磷/铟磷半导体激光器的发射功率为1.3微米,大功率半导体激光阵列的发射率和入射角为三角形。
机译:通过快速热退火改善1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中的基态调制特性
机译:n型调制掺杂势垒和线性梯度成分GaInAsP中间层对1.3μmAlGaInAs / AlGaInAs应变补偿多量子阱激光二极管的影响