annealing; electrical resistivity; indium compounds; semiconductor materials; semiconductor thin films; sputter deposition; ultraviolet spectra; visible spectra; 4-point probe; ITO; RF sputtering system; UV-Vis spectrophotometer; electrical properties; heat treatment; nonheated glass slide; optical properties; oxygen atmosphere; room temperature; sheet resistance; temperature 293 K to 298 K; temperature 473 K; temperature 573 K; temperature 673 K; temperature 773 K; thin films; transmittance;
机译:退火气氛(氩气与空气)和温度对旋涂胶态铟锡氧化物薄膜电和光学性能的影响
机译:室温溅射并在空气或氮气中退火制备的铟锡氧化物薄膜的结构,光学和电学性质
机译:退火温度取决于通过电子束蒸发法沉积的氧化铟薄膜的结构,光学和电学性质
机译:退火温度变化对氧气氛下铟锡氧化物薄膜电学和光学性能的影响
机译:使用纳米技术的氧化物和氧化铟锌薄膜的氧化物和氮化物的光学,结构,电和磁性的工程
机译:氧气流速对氧化铟锌薄膜晶体管沟道宽度电性能的影响
机译:二氧化碳作为退火气氛,以保留氧化铟锡的电性能