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A study and control of lattice sites of N and Ga/In/N interdiffusion in dilute nitride quantum wells

机译：稀氮化物量子阱中N和Ga / In / N互扩散的晶格位点的研究与控制

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We report on nitrogen incorporation and Ga/In/N interdiffusion in Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y / GaAs quantum wells (QW's) grown at T_gr ≈ 450° C by MBE. We studied effects of the distribution of interstitial and substitutional nitrogen and Ga/In/N interdiffusion on optical properties of the QW's and the ways of suppressing diffusion. The results are summarised here.

机译：我们报道了Ga _{1-x In _{x N _{y As _{1-y < / sub> / GaAs量子阱（QW）由MBE在T _{gr ≈450°C下生长。我们研究了间隙氮和取代氮的分布以及Ga / In / N互扩散对QW光学性能的影响以及抑制扩散的方法。结果总结在这里。}}}}}

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来源
《IEEE conference on decision and control》|1990年|p.267-268|共2页
会议地点
作者
Peng C.S.; Jouhti T.; Pavelescu E.-M.; Pessa M.;
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作者单位

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正文语种
中图分类系统科学;自动控制理论;
关键词

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