Performance evaluation; Silicon carbide; AC-AC converters; Switching loss; Switches; Logic gates; Feature extraction;
机译:1.2 kV,10 A,4H-SIC双向场效应晶体管(BIDFET),具有低导通状态电压降
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:双极导电对1.2kV和3.5kV 4H-SiC JBS二极管的电气特性和可靠性的影响
机译:具有集成JBS二极管的单片4端子1.2 kV / 20 A 4H-SiC双向场效应晶体管(BiDFET)
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:基于硅磁敏晶体管的单片集成二维磁场传感器的制造技术和特性研究
机译:双极传导对1.2和3.5kV 4H-siC JBs二极管的电特性和可靠性的影响
机译:垂直集成的电源和能源CTa努力将siC JBs二极管插入FCs逆变器电路