机译:基本频率为120 GHZ的基于AlGaAs / GaAs的平面Gunn二极管振荡器
机译:InP Gunn器件和GaAs TUNNETT二极管在100-300 GHz和更高频率范围内的性能方面的最新进展
机译:94 GHz的AlGaAs / GaAs Gunn二极管的设计,仿真,制造,封装和测试
机译:GaAs Gunn振荡器上变频器链产生141GHz
机译:10 GHz宽调谐范围线性压控振荡器
机译:用于汽车工业的77 GHz GaAs耿氏二极管芯片的制造与表征
机译:Gaas Gunn二极管芯片的制造和表征,适用于77 GHz汽车工业
机译:调查140 GHz gryo-backward波振荡器和95 GHz陀螺行波。