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机译:InP Gunn器件和GaAs TUNNETT二极管在100-300 GHz和更高频率范围内的性能方面的最新进展
机译:使用GaAs TUNNETT二极管和InP Gunn器件以二次或更高谐波模式产生亚毫米波辐射
机译:利用InGaAs和GaAs扩展Gunn二极管的工作频率范围
机译:在260-320 GHz频率范围内从功率超过1 mW的InP Gunn器件中提取二次谐波功率
机译:InP Gunn设备在100-300 GHz频率范围内的性能方面的最新进展
机译:大功率近谐振1.55微米发射InGaAsP / InP反导二极管激光器阵列。
机译:用于汽车工业的77 GHz GaAs耿氏二极管芯片的制造与表征
机译:实验估计Gaas和Inp基平面Gunn二极管的死区
机译:变质HBT:在Gaas衬底上生长的Inp / InGaas / Inp器件。