CMP Mo; Alumina; Silica; Slurry; Hydrogen peroxide;
机译:硅烷改性SiO_2磨料的制备及其化学机械抛光性能
机译:抛光参数对使用SiO_2和Al_2O3磨料的C平面(0001)氮化镓表面化学机械平面化的影响
机译:磨料性质对化学机械抛光中掺氮的Ge_2sb_2te_5对Sio_2薄膜抛光速率选择性的影响
机译:使用不同抛光参数的Al_2O_3和SiO_2磨料对钼CMP的影响
机译:CMP过程中的磨料颗粒轨迹和材料去除不均匀性以及CMP浆料的过滤特性-模拟和实验研究。
机译:M300钢弹性磨料磨抛机理与参数优化
机译:通过添加研磨剂和各种氧化剂改善镍的化学机械抛光(CMP)性能