机译:在互补金属氧化物半导体技术中采用2.0 nm栅极氧化物增强应变的p沟道金属氧化物半导体晶体管的热孔诱导降解
机译:绝缘体上薄硅场P沟道横向双扩散金属氧化物半导体的热载流子线性漏极电流和阈值电压降级
机译:沟道热载流子退化对应变Si p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的处理依赖性
机译:热电子和热孔对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管劣化的相互作用。
机译:铬敏化剂的光物理研究,用于激发态空穴向半导体的转移以及空穴/电子从光激发的硫化镉纳米棒到单核钌水氧化催化剂的顺序转移。
机译:基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:互补金属氧化物半导体图像传感器使用栅极/体绑住的P沟道金属氧化物半导体效果晶体管型光电探测器,用于高速二进制操作
机译:G沟道,电子辐射和质子辐射暴露于p沟道,增强,金属氧化物半导体,场效应晶体管