III-V semiconductors; aluminium compounds; gallium arsenide; indium compounds; resonant tunnelling diodes; semiconductor quantum dots; InAs-GaAs-Al/sub x/Ga/sub 1-x/As; n-i-n resonant tunneling diode; peak-to-valley current ratio; quantum dots; resonant tunneling;
机译:通过嵌入量子点来实现InAs / GaAs量子点的生长优化和GaAs隧道二极管的性能增强,以用于太阳能电池应用
机译:嵌入GaAs量子环的双势垒共振隧穿二极管的电流-电压特性
机译:GaAs金属半导体二极管结构中InAs量子点能量状态的共振隧穿
机译:高温稳定的N-I-N谐振隧道隧道二极管嵌入了GaAs / Al_xga_(1-x)中的INAS量子点作为双屏障
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:生长期间使用扫描隧道显微镜尖端对InAs / GaAs(001)量子点进行温度依赖的现场控制
机译:嵌入Inas / Gaas量子点的电子共振隧穿 具有alas插入层的肖特基二极管