Ge-Si alloys; MOSFET; carrier mobility; elemental semiconductors; epitaxial growth; etching; semiconductor materials; silicon; substrates; Si-SiGe; UTSS n-MOSFET device; channel resistance; high performance device; hybrid stress; p-MOSFET device; source-drain process; s;
机译:HV / CVD生长的SiGe HMOSFET的生长松弛SiGe缓冲层
机译:在Si(001)衬底上通过混合外延生长的松弛SiGe梯度缓冲液上的应变Ge-SiGe异质结构的XRD分析
机译:用于SiGe HMOSFET的HV / CVD生长的松弛SiGe缓冲层
机译:利用超厚的Si(UTSs)在宽松的SiGe上生长的高性能装置
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:校正单层部分压力辅助生长由低压化学气相沉积种植的石墨烯:含义用于高性能石墨烯FET器件
机译:自热和SiGe应变缓和缓冲层厚度对应变Si nMOSFET的模拟性能的影响