silicon; Ge-Si alloys; elemental semiconductors; heterojunction bipolar transistors; chemical vapour deposition; secondary ion mass spectra; power bipolar transistors; integrated circuit yield; high yield reduced tolerance process; self aligned double mesa process technology; SiGe power HBT; DC result; RF result; finger devices; MMIC; Si-SiGe-Si;
机译:具有外部晶体管优化功能的完全自对准双台面SiGe-HBT
机译:0.18- / splμ/ m的RF SiGe BiCMOS技术和无集电极的双多晶硅自对准HBT
机译:内部隔离层工艺对完全自对准的250 GHz SiGe:C HBT可靠性性能的影响:a-Si与氮化物
机译:高产减少工艺公差自对准双MESA工艺技术,用于SiGe Power HBTS
机译:SiGe HBT的功率衍生热表征和使用锁相环的定时电路设计。
机译:重力作用下EML中SiGe熔体的非接触式处理
机译:在0.13 µm准自对准SiGe:C HBT中优化外部多晶硅基片电阻
机译:功率siGe异质结双极晶体管(HBT)采用全自对准双mesa技术制造