CMOS digital integrated circuits; SRAM chips; digital signal processing chips; neutron effects; radiation hardening (electronics); shielding; 90 nm; accelerated soft errors; advanced CMOS DSP; correlating geometry; embedded SRAM; product failure rates; shielding effe;
机译:SRAM中中子引起的软错误的温度依赖性
机译:中子引起的〜10B裂变是高密度SRAM中软错误的主要来源
机译:金属基屏蔽层的高能束中子测量,用于加速器驱动的散裂中子源
机译:使用初步中子束与90nm SRAM中加速软误差的关联几何和屏蔽效应
机译:建模和缓解纳米级SRAM中的软错误。
机译:散裂中子源处基本中子物理束线的束线性能模拟
机译:SRAM中中子引起的软错误的温度依赖性