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【24h】

Neutron-induced ~10B fission as a major source of soft errors in high density SRAMs

机译:中子引起的〜10B裂变是高密度SRAM中软错误的主要来源

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摘要

The impact of cosmic neutron induced ~10B fission in production submicron SRAM devices is reported for the first time. Using a cold neutron beam to accelerate soft error rate events, we unambiguously demonstrate that neutron induced ~10B fission can be a significant source of soft errors in deep-submicron SRAMs fabricated with borophospho- silicate glass.
机译:首次报道了宇宙中子诱发的〜10B裂变在生产亚微米SRAM器件中的影响。使用冷中子束加速软错误率事件,我们明确地证明,中子诱发的〜10B裂变可能是由硼磷硅酸盐玻璃制成的深亚微米SRAM中软错误的重要来源。

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