crystallites; grain boundaries; piezoresistance; semiconductor materials; electric properties; silicon; macroscopic averaging; electrical properties; polycrystalline material film; crystalline grains; resistive properties; piezoresistive properties; polycrystalline silicon; dopant concentration; depleted regions; carrier trapping; grain boundary; free carriers orientation; specific resistivity; piezoresistance coefficient; free carrier distribution; crystallite; orientation dependent properties;
机译:晶粒界面参数对多晶材料宏观性能的影响
机译:本征或低掺杂下多晶材料中晶界的电学性质
机译:晶界网络对多晶材料中氢的宏观扩散率的影响
机译:多晶材料晶粒内电特性的宏观平均
机译:多晶硅中晶界的化学和电学性质。
机译:合成面心立方3D多晶微结构单向拉伸变形下晶粒细微结构描述符和晶粒平均应力场的数据集
机译:关于晶界特性与多晶材料宏观特性之间相互关系的基础研究。最后报告,1991年10月至1996年12月
机译:关于晶界特性与多晶材料宏观特性之间相互关系的基础研究。最后报告,1991年10月至1996年12月