MOSFET; dielectric thin films; atomic layer deposition; interface states; hole mobility; silicon; elemental semiconductors; Ge-Si alloys; semiconductor materials; titanium compounds; hafnium compounds; aluminium compounds; metal-gate/high-k gate stack; s;
机译:在ALD TiN / Al_2O_3 / HfAlO_x / Al_2O_3栅叠层下使用应变Si_(0.7)Ge_(0.3)表面沟道的pMOSFET中的空穴迁移率下降进行量化
机译:具有ALD TiN / Al / sub 2 / O / sub 3 // HfAlO / sub x // Al / sub 2 / O / sub 3 /栅极的新型应变Si / sub 0.7 / Ge / sub 0.3 /表面沟道pMOSFET堆
机译:Ge富集技术在GeOI上实现了高kappa $和金属门pMOSFET:ON和OFF性能分析
机译:用于SI和SI / SUB 0.7 / GE / SUB 0.3 /表面通道PMOSFET的ALD金属栅/高/ SPL kappa /栅极堆叠
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:采用22 nm节点CMOS技术的SiH4和B2H6前体的ALD W填充金属功能的pMOSFET
机译:在In0.7ga0.3as的不稳定性,用单层AL2O3和双层AL2O3 / HFO2栅极堆叠在正偏置温度(PBT)应力下引起的单层AL2O3和双层AL2O3 / HFO2堆叠