MOSFET; SRAM chips; ion implantation; voltage control; nanoelectronics; low-power electronics; elemental semiconductors; silicon; CMOSFET; wide-range back-bias control; ultra-thin BOX; back gate; drive current; off-current reduction; tunable-threshold-voltage technology; metal gates; ion implantation; 6-transistor SRAM memory cell; feedback mechanism; SNM characteristics; 65 nm; Si;
机译:低功耗高性能32位RISC-V微控制器上65-NM硅式薄盒(SOTB)
机译:集成有全硅化NiSi栅电极的块状互补金属氧化物半导体集成的薄埋氧化物上的宽范围阈值电压可控硅
机译:具有横向双门的高性能超薄体超薄盒绝缘体MOSFET分析:具有DIBL的抑制
机译:薄盒上的硅:适用于低功率高性能应用的CMOSFET的新范例,具有宽范围的反向偏置控制
机译:锗/硅异质结构纳米线和III-V组纳米线,用于低功率高性能纳米电子学。
机译:电信应用的高性能硅光子技术
机译:具有横向双门的高性能超薄体超薄盒绝缘体MOSFET的分析:具有DIBL的抑制
机译:硅薄膜准分子激光晶化:用于薄膜晶体管应用的晶界限位和单晶岛材料的人工控制超横向生长