MMIC power amplifiers; integrated circuit design; HEMT integrated circuits; wireless LAN; III-V semiconductors; aluminium compounds; indium compounds; gallium arsenide; MMIC power amplifier; PHEMT; wireless local area network; multichannel distribution service; multipoint distribution service; two-stage amplifier; 30.4 dB; 3.3 to 3.8 GHz; 2 W; 50 ohms; AlGaAs-InGaAs-GaAs;
机译:使用AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT的38 dBm功率放大器,用于S波段应用
机译:高功率密度AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT,采用针对Ka频段应用的优化制造工艺
机译:在38 / 77GHz InGaAs / AlGaAs PHEMT MMIC中同时实现高性能和高可靠性
机译:使用AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT的3.5GHz 2W MMIC功率放大器
机译:高功率拟晶AlGaAs / InGaAs高电子迁移率晶体管的材料,物理学,器件物理学和技术。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:在38 / 77GHz InGaas / alGaas pHEmT mmIC中同时实现高性能和高可靠性