A 24.9-GHz emitter-degenerated SiGe bipolar VCO

机译：24.9 GHz发射极退化的SiGe双极VCO

获取原文

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

A 24.9-GHz emitter-degenerated VCO fabricated in IBM 6HP SiGe BiCMOS process with a -81dBc/Hz phase noise at 1-MHz offset is presented. It consumes 22mW on a 1.9V power supply including output buffers and occupies 435/spl mu/m /spl times/ 225/spl mu/m of silicon area.

机译：提出了采用IBM 6HP SiGe BiCMOS工艺制造的24.9 GHz发射极退化的VCO，在1 MHz偏移处具有-81dBc / Hz的相位噪声。它在1.9V电源（包括输出缓冲器）上消耗22mW的功率，占硅面积435 / spl mu / m / spl次/ 225 / spl mu / m硅面积。

著录项

来源
《》|2003年|p.71-74|共4页
会议地点
作者
Zhan; J.-H.C.; Duster; J.S.; Kornegay; K.T.;
展开▼
作者单位

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
voltage-controlled oscillators; bipolar integrated circuits; integrated circuit design; silicon compounds; emitter-degenerated bipolar VCO; voltage-controlled oscillator; IBM 6HP BiCMOS process; phase noise; output buffers; 24.9 GHz; 1 MHz; 22 mW; 1.9 V; 435 micron; 225 micron; SiGe;

机译：压控振荡器;双极集成电路;集成电路设计;硅化合物;发射极退化的双极VCO;压控振荡器; IBM 6HP BiCMOS工艺;相位噪声;输出缓冲器; 24.9 GHz; 1 MHz; 22 mW; 1.9 V; 435微米; 225微米; SiGe;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Design of Low-Noise src="/images/tex/523.gif" alt="K"> -Band SiGe Bipolar VCOs: Theory and Implementation [J] . Padovan F., Tiebout M., Mertens K.L.R., Circuits and Systems I: Regular Papers, IEEE Transactions on . 2015,第2期

机译：低噪声的设计 src =“ / images / tex / 523.gif” alt =“ K”> -波段SiGe双极VCO：理论与实现
2. Millimeter-wave VCOs with wide tuning range and low phase noise, fully integrated in a SiGe bipolar production technology [J] . Hao Li, Rein H.-M. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2003,第2期

机译：完全集成在SiGe双极生产技术中的毫米波VCO，具有宽调谐范围和低相位噪声
3. Millimeter-wave VCOs with wide tuning range and low phase noise, fully integrated in a SiGe bipolar production technology [J] . Hao Li, Rein H.-M. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2003,第2期

机译：完全集成在SiGe双极生产技术中的毫米波VCO，具有宽调谐范围和低相位噪声
4. A 24.9-GHz Emitter-Degenerated SiGe Bipolar VCO [C] . Jing-Hong, C. Zhan, Jon. S. Duster, Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting . 2003

机译：一个24.9GHz发射器 - 退化的SiGe Bipolar VCO
5. A 20-GHz bipolar varactor-tuned VCO using switched capacitors to add tuning range. [D] . Stewart, Malcolm D. 2003

机译：使用开关电容器的20 GHz双极变容二极管调谐VCO，以增加调谐范围。
6. Absence of systemic toxicity changes following intramuscular administration of novel pSG2.HIVconsv DNA ChAdV63.HIVconsv and MVA.HIVconsv vaccines to BALB/c mice [O] . Beatrice Ondondo, Caroline Brennan, Alfredo Nicosia, -1

机译：向BALB / c小鼠肌肉内注射新型pSG2.HIVconsv DNAChAdV63.HIVconsv和MVA.HIVconsv疫苗后没有全身毒性变化
7. Conception de VCOs 15 GHz à très faible bruit de phase intégrés sur technologie BiCMOS SiGe 0,25μm [O] . Hyvert Jérémy, Paillot Jean-Marie, Cordeau David, 2013

机译：采用BiCmOssiGe0.25μm技术集成的具有极低相位噪声的15 GHz VCO设计

A 24.9-GHz emitter-degenerated SiGe bipolar VCO

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅