indium compounds; gallium arsenide; III-V semiconductors; integrated optoelectronics; photodetectors; p-i-n photodiodes; preamplifiers; wideband amplifiers; microwave photonics; millimetre wave amplifiers; radio access networks; monolithic OEIC; InGa;
机译:适用于LMDS应用的28 GHz高功率,高效率单片功率放大器
机译:波导InGaAs / InP引脚光电二极管与本地离子注入JFET的单片集成,用于接收器OEIC应用
机译:Ingaas MHEMT技术的宽带300 GHz功率放大器MMIC
机译:单片INGAAS PIN Photodetector-GaAs MHEMT放大器OEIC制作和实施例28 GHz LMDS应用
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于汽车工业的77 GHz GaAs耿氏二极管芯片的制造与表征
机译:用于28 GHz LMDS应用的高度集成的MMIC芯片组
机译:16 GHz带宽Inalas-InGaas单片集成p-i-n / HBT光接收器