机译:高场电流脉冲应力作用下二氧化硅横向不均匀电荷产生和应力诱导漏电流的潜在损伤研究
机译:薄氧化物中应力引起的泄漏电流与氧化物内部陷阱产生的相关性
机译:恒定电流应力后无应力间隔内的薄SIO_2薄膜中应力引起的泄漏电流可预测的时间演化模型
机译:高场脉冲应力下薄氧化物中应力引起的漏电流
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:A-Ingazno薄膜晶体管中光漏电流和负偏压照明应力的退火诱导稳定性的定量分析
机译:带有薄氮化栅氧化物的双栅CMOSFET中应力引起的泄漏电流