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A quantitative analysis of stress-induced leakage currents in ultra-thin silicon dioxide films

机译：超薄二氧化硅薄膜中应力引起的泄漏电流的定量分析

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《》|2001年|P.958-963|共6页
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Endoh; T.;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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