机译:与InP / InGaAs双异质结双极晶体管制造工艺兼容的23 GHz带宽单片光接收器
机译:250nm InP HBT中的紧凑型140GHz,150mW高增益功率放大器MMIC
机译:紧凑型140 GHz,150 MW高增益功率放大器MMIC,250-NM INP HBT
机译:K频段76%PAEI INP双异质结双极功率晶体管和23 GHz紧凑型线性功率放大器MMIC
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:宽带20至28GHz信号发生器mmIC,输出功率为30.8dBm,基于功率放大器单元,siGe为31%paE