机译:1.3- / splμm/ m的AlGaInAs-InP AlGaInAs-InP激光器在导引层具有多量子势垒的温度相关特性
机译:应变补偿的1.3- / spl mu / m AlGaInAs量子阱激光器,在包层具有多量子势垒
机译:在p侧光学限制层上装有GaInAs-AlInAs多量子势垒的应变GaInAs-AlGaInAs 1.5- / spl微米/米波长多量子阱激光器
机译:多堆型多谜屏障对1.3 / SPL MU / M Algainas / InP量子阱激光器性能的影响研究
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:1.3μmInAs / GaAs自组装量子点激光器的热效应和小信号调制
机译:n型调制掺杂势垒和线性梯度成分GaInAsP中间层对1.3μmAlGaInAs / AlGaInAs应变补偿多量子阱激光二极管的影响
机译:横向耦合Inas量子点分布反馈激光器,为1.3微米