机译:InAs / InGaAs异质结增强N沟道隧穿场效应晶体管性能增强的研究
机译:新型锗锡锗异质结增强型p沟道隧穿场效应晶体管的性能改进
机译:利用Ag源漏电极增强同型平面异质结光响应有机场效应晶体管的性能
机译:通过从靠近异色接口转换电子的最大电子来实现异质结晶体管的性能增强
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:将聚合物中的缺电子氮原子嵌入高性能n型聚合物场效应晶体管
机译:用于带偏移确定的电子和空穴光电发射检测 隧道场效应晶体管异质结
机译:具有二维电子通道的光栅门控场效应晶体管中的等离子体增强电子阻力和太赫兹光电导