机译:IGBT模块:垂直优化的NPT结构可提供6.5k Vdc阻断电压并改善了导通电压
机译:适用于600–1200 V IGBT的软穿通缓冲器概念
机译:反复非钳位电感开关条件下SOI-LIGBT的电参数劣化和优化
机译:优化垂直IGBT结构 - NPT概念作为1200 V-IGBT的最经济和电气理想的解决方案
机译:优化四层垂直堆叠水平门 - 全面的结构和电气特性 - 全周Si NanosheLs设备
机译:沟槽发射电极改进垂直NPT沟槽IGBT电气特性
机译:实用电网电力量的DaRRUsUs垂直轴风力涡轮机系统经济性分析Ⅱ - 经济优化模型