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机译:沟槽发射电极改进垂直NPT沟槽IGBT电气特性
Jong-Seok Lee; Ey-Goo Kang; Man-Young Sung;
机译:具有双沟槽栅电极和不同栅氧化层厚度的双沟槽栅发射极开关可控硅(DTG-EST)
机译:制备的用于智能功率IC的横向沟槽电极IGBT的电气特性
机译:一种新型的沟槽式IGBT,具有用于功率IC系统的出色电特性
机译:具有最佳正向特性的1.4 kV,25 A,PT和NPT沟槽IGBT
机译:沟槽栅穿通IGBT的特性和建模。
机译:超快速3D沟槽电极硅探测器的电气性能
机译:一种新型横向沟槽电极IGBT,用于卓越的电气特性
机译:垂直晶体管存储单元包括包含沟槽的衬底,沟槽的电绝缘存储区域的侧壁,布置在沟槽中的栅极区域以及源极/漏极区域
机译:形成在更深的基于沟槽的源电极内具有基于沟槽的栅电极的垂直MOSFET的方法
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