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A Novel Lateral Trench Electrode IGBT for Suprior Electrical Characteristics

机译：一种新型横向沟槽电极IGBT，用于卓越的电气特性

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年度 2002
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1. The electrical characteristics of the fabricated lateral trench electrode IGBT for intelligent power IC [J] . Ey Goo Kang, Sangsig Kim, Man Young Sung The International Journal for manufacturing Science and Production . 2003,第4期

机译：制备的用于智能功率IC的横向沟槽电极IGBT的电气特性
2. A new trench electrode IGBT having superior electrical characteristics for power IC systems [J] . Ey Goo Kang, Seung Hyun Moon, Man Young Sung Microelectronics journal . 2001,第8期

机译：一种新型的沟槽式IGBT，具有用于功率IC系统的出色电特性
3. Publisher's Note: 'A New Lateral Trench Electrode Insulated Gate Bipolar Transistor with p+ Diverter for Superior Electrical Characteristics' [Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 2119] [J] . Man Young Sung, Ey Goo Kang, Dae Jong Kim, Japanese journal of applied physics . 2012,第7ISSUE1期

机译：发行人注：“具有p +转向器的新型横向沟槽电极绝缘栅双极晶体管，具有出色的电气特性”。 J.应用物理42（2003）2119]
4. Electrical characteristics of a new lateral trench electrode IGBT for smart power IC [C] . Ey Goo Kang, Seung Hyun Moon, Man Young Sung . 2001

机译：用于智能功率IC的新型横向沟槽电极IGBT的电气特性
5. Characterization and modeling of trench gate punch through IGBTs. [D] . Kang, Xiaosong. 2002

机译：沟槽栅穿通IGBT的特性和建模。
6. Electrical Properties of Ultra-Fast 3D-Trench Electrode Silicon Detector [O] . Manwen Liu, Tao Zhou, Zheng Li 2020

机译：超快速3D沟槽电极硅探测器的电气性能
7. Improvement of Electrical Characteristics of Vertical NPT Trench Gate IGBT using Trench Emitter Electrode [O] . Jong-Seok Lee, Ey-Goo Kang, Man-Young Sung 2006

机译：沟槽发射电极改进垂直NPT沟槽IGBT电气特性

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