机译:高/ splκ/栅极电介质和金属栅电极对100nm以下MOSFET的影响
机译:一种新的接地叠层栅极(GLG),可减少高/ spl kappa /栅极电介质MOSFET中的边缘电容效应
机译:高/ spl kappa /电介质的HCl沉积后清洗后的迁移率改善:双金属栅极湿法蚀刻中的潜在问题工艺技术
机译:高/ SPL Kappa /电介质对金属和硅门工作功能的影响
机译:紧凑的栅极电容和栅极电流建模,可用于超薄(EOT〜1 nm及以下)二氧化硅和高kappa栅极电介质。
机译:用显微拉曼光谱法与二氧化硅比较研究高κ介电层的拉曼光谱
机译:宽带隙高k Y2 O3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性