机译:具有光阱层的低损耗低约束GaAs-AlGaAs DQW激光二极管,用于大功率工作
机译:光限制层中不均匀的载流子积累是超高功率宽脉冲InGaAs / GaAs / AlGaAs激光二极管的最终功率限制
机译:0.98μmInGaAs / GaAs / InGaP应变DOW激光器中InGaAsP隔离限制层的优势,可在高温下进行大功率操作
机译:具有用于高功率操作的光阱层的不对称,低限制GaAs / AIGAS DQW激光二极管
机译:高功率铝的制造:用于光学泵浦的0.8微米至1.0微米的InGaAsP / InGaP / GaAs激光器
机译:GaAsBi / GaAs量子阱二极管激光器中的光学增益
机译:具有光阱层的低损耗,低约束度的GaAs-AlGaAs DQW激光二极管,用于大功率工作
机译:具有GaInasp光学限制层的超高效GaInasp / Gaas应变层量子阱激光器(Lambda = 980nm)。 (重新公布新的可用性信息)