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吴翔; 陆祖康; 王攸;
中国光学学会;
浙江省光学会;
浙江大学;
InGaAs; AlGaAs; 双量子阱激光器; 光束质量因子; 非傍轴矢量矩;
机译:大功率,单模,0.81微米脊AlGaAs异质激光器的光束质量
机译:大功率InGaAs / AlGaAs激光器中的刻面冷却
机译:大功率外腔AlGaAs / GaAs / InGaAs量子尺寸异质激光器(λ= 1.06μm)
机译:使用新型材料系统InGaAs / InGaAsP / AlGaAs的大功率0.98um宽波导激光器
机译:大功率近谐振1.55微米发射InGaAsP / InP反导二极管激光器阵列。
机译:大功率生长健壮的InGaAs / InAlAs太赫兹量子级联激光器
机译:使用新型InGaAsP和AlGaAs混合材料系统生长和制备高性能980nm应变InGaAs量子阱激光器
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率
机译:含铟的InGaAsP / AlGaAs / GaAs异质结构二极管激光器
机译:可靠的AlInGaAs / AlGaAs应变层二极管激光器
机译:可以使来自上方的半导体激光器单元的激光束的波长和相位与来自下方的半导体激光器单元的激光束的波长和相位相匹配的大功率半导体激光器阵列装置,该半导体激光器阵列装置的制造方法以及使用该装置的多波长激光发射装置半导体激光器阵列装置
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