机译:通过对高K栅极电介质进行原子层蚀刻来改善金属栅极/高K电介质CMOSFET的特性
机译:通过金属栅极的中性束刻蚀改善金属栅极/高k介电CMOSFET的特性
机译:基于金属/ Hf的高k电介质界面上功函数的通用理论-栅极金属选择的指导原则-
机译:基于HF的高k门电介质双金属栅极CMOSFET的BTI可靠性
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:基于Hf的高K栅极电介质和金属栅极叠层,用于高级CMOS器件