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【24h】

Effects of Metastable Crystallization of Ge2Sb2Te5 Thin Films and Scaled Contact Dimension on Phase Change Random Access Memory

机译：Ge2Sb2Te5薄膜的亚稳态结晶和尺度接触尺寸对相变随机存取存储器的影响

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《》|2005年||共4页
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