gallium arsenide; aluminium compounds; III-V semiconductors; semiconductor epitaxial layers; minority carriers; photoluminescence; semiconductor devices; optical fibre communication; semiconductor optical routing device; minority carrier drift; short distance optical communication system; board to board communication; grid computing; p-type modulation doped heterostructures; room temperature; PL emission; Al/sub 0.9/Ga/sub 0.1/As barrier layers; 293 to 298 K; AlGaAs;
机译:面向基于半导体中少数载流子传输的反应扩散计算装置
机译:在半导体中使用少数载流子传输的反应扩散装置
机译:在半导体中使用少数型载波运输的反应扩散装置
机译:利用少数载波漂移的半导体光学路由装置的概念
机译:半导体中弹道自旋电流,载流子密度和载流子自旋的光学注入和相干控制。
机译:经由可可胶路线的高性能且可扩展的金属硫族化物半导体和器件
机译:在半导体中使用少数载流子传输的反应扩散装置