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齐吉泰; 于长兴; 印志强; 王春红;
绥化学院物理系,黑龙江绥化,152061;
迁移; 漂移; 体载; 温度变化; 半导体; 实验测量; 电子; 能级;
机译:量化非晶态半导体中电子态离域的方法及其在评估p型非晶态氧化物半导体的载流子迁移率中的应用
机译:非晶态分子半导体的从头算电荷载流子迁移率模型
机译:用于量化非晶半导体中电子态的分层化的方法及其应用于评估p型非晶氧化物半导体的电荷载流子迁移率
机译:迁移率变化和阈值电压漂移免疫的非晶态铟镓锌氧化锌像素电路
机译:四面键结合的非晶态半导体中的漂移型光电过程
机译:基于高迁移率和平衡载流子迁移率的溶液加工的八萘氧基取代的三(酞菁基)euro半导体的空气稳定双极性场效应晶体管
机译:非晶半导体纳秒方程中飞行时间方法和时间依赖性光传输的漂移迁移率。年度报告,1984年5月1日至1985年4月30日
机译:测量非晶态氢化硅薄层中载流子迁移率的方法。
机译:非晶态氢化硅薄层中载流子迁移率的测量方法
机译:非晶态半导体的基质,具有相同形状的非晶态半导体基质和非晶态半导体基质的制造
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