机译:低泄漏GaN Hemts,具有低损伤蚀刻工艺制造的亚100nm t形栅极
机译:耐高温处理的低电阻多金属栅电极
机译:化合物半导体晶体管在低损伤亚100 nm钨栅极反应离子刻蚀过程中的等离子体发射光谱
机译:具有低损伤XE等溅射和SI封装硅化工艺的高度可靠,低电阻率BCC-TA门MOS技术
机译:用于先进CMOS技术的反应溅射钼氮化硅金属栅电极的功函数调整。
机译:石墨烯上Al2O3栅极绝缘体的多功能溅射技术
机译:用于环绕栅极垂直mOsFET的自对准硅化技术
机译:后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响