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【24h】

Two-dimensional simulation of surface-state effects on slow current transients in GaAs MESFETs

机译：GaAs MESFET中表面状态对慢电流瞬变影响的二维模拟

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来源
《》|1996年|P.125-126|共2页
会议地点
作者
Yamada; T.; Horio; K.;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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