机译：应变层In / sub x / Ga / sub 1-x / As / GaAs和In / sub x / Ga / sub 1-x / As / In / sub y / Ga / sub 1-y / P多量子阱气源MBE生长的光学调制器
机译：从头开始研究In_xGa_（1-x）As，GaAs_（1-y）P_y三元和In_xGa_（1-x）As_（1-y）P_y四元半导体合金的结构，电子和光学性质
机译：通过al_xga_（1-x）n / in_yga_（1-y）n / gan / aln异质结构的光学声音调节电子迁移率
机译：使用Al / sub x / Ga / sub 1-x / As / Al / sub y / Ga / sub 1-y / As MOCVD生长的AFPM在500-600 nm可见波长范围内的光调制器
机译：II-VI DMS异质结构的磁光研究：锌（1-xy）锰（x）镉（y）硒/锌（1-x）锰（x）硒单量子阱，锌（1-x）镉（ x）硒/锌（1-y）锰（y）硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译：电信波长的电子带隙修饰无源硅光学调制器
机译：$ KGd_xLu_ {1-x}（WO_4）_2：Yb ^ {3 +} $波导放大器中与波长相关的光学增益
机译：平面原生氧化物埋层 - 台面al（x）Ga（1-x）as-In（0.5）（al（y）Ga（1-y））0.5p-In（0.5）（al（z）Ga（1） -z））0.5p可见光谱激光二极管
