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【24h】

Enhanced cryogenic on-wafer techniques for accurate In/sub x/Ga/sub 1-x/As HEMT device models

机译：增强型低温晶圆上技术，可实现准确的In / sub x / Ga / sub 1-x / As HEMT器件模型

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An accurate on-wafer cryogenic measurement system is presented for empirical millimeter-wave device studies of In/sub x/Ga/sub 1-x/As HEMTs. Multi-line TRL calibrations are performed to provide traceable baseline results for cryogenic S-parameter measurements. This technique is then applied to develop wide frequency band small-signal models for HEMTs with In channel composition varied from 22% to 70%.

机译：提出了一种精确的晶圆上低温测量系统，用于In / sub x / Ga / sub 1-x / As HEMT的经验毫米波设备研究。执行多线TRL校准可为低温S参数测量提供可追溯的基线结果。然后将此技术应用于为In通道组成从22％到70％不等的HEMT开发宽带小信号模型。

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来源
《》|1994年|P.1485-1488|共4页
会议地点
作者
Laskar; J.; Lai; R.;
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原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术 ;
关键词

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