机译:4H-SiC MESFET在1.8 GHz时的功率密度为2.8 W / mm
机译:SiC,GaAs和Si RF MESFET功率密度的比较
机译:适用于低成本MMIC应用的低功率离子注入0.25微米栅极GaAs MESFET的微波性能
机译:4H-碳化硅MESFET,具有2.8 W / mm RF功率密度
机译:演示适用于高频应用的具有高电流和功率密度的4H碳化硅双极结型晶体管。
机译:芯壳CoNiO2 @ NiAl层状双氢氧化物和空心球形α-Fe2O3的电极材料具有良好的循环性能和超功率密度的全固态柔性不对称超级电容器
机译:市售碳化硅介电常数的脉冲功率操作
机译:4H-碳化硅导电带边缘附近界面态的氮钝化